моп
31МОП-структура с кремниевыми затворами — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… …
32МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла — MOP darinys su sunkialydžio metalo užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. refractory MOS; refractory metal gate MOS structure vok. MOS Struktur mit dem Gate aus schwerschmelzendem Metall, f; Refractory MOS Struktur, f rus.… …
33МОП-структура с самосовмещёнными затворами — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… …
34МОП-структура с затвором Шотки — MOP darinys su Šotkio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky barrier gate MOS vok. Schottky Gate MOS Struktur, f rus. МОП структура с затвором Шотки, f pranc. structure MOS à grille Schottky, f …
35МОП-транзистор с V-образным затвором — MOP tranzistorius su V užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate MOS transistor vok. V Gate MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с V образным затвором, m pranc. transistor MOS à grille en V, m …
36МОП-транзистор с металлическим затвором — MOP tranzistorius su metaline užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal gate MOS transistor vok. Metall Gate MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с металлическим затвором, m pranc. transistor MOS à grille métallique, m …
37МОП-транзистор со скрытым каналом — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… …
38МОП-транзистор с кремниевым затвором — MOP tranzistorius su silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS transistor vok. Siliziumgate MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с кремниевым затвором, m pranc. transistor MOS à grille de silicium, m …
39МОП-структура с диэлектрической изоляцией — dielektriku izoliuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dielectric isolated MOS; dielectric isolated MOS structure vok. MOS Structur mit dielektrischer Isolation, f rus. МОП структура с диэлектрической изоляцией,… …
40МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением — reguliuojamos slenkstinės įtampos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. adjustable threshold MOS; adjustable threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit einstellbarem Transistorschwellwert, f rus. МОП структура с… …