моп
21МОП-структура с инжекционным затвором — MOP darinys su injekuojamąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate injection MOS; gate injection MOS structure vok. Injektionsgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с инжекционным затвором, f pranc. structure MOS à… …
22МОП-транзистор с изолированным затвором — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m …
23МОП-технология — MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS technology vok. MOS Technik, f; MOS Technologie, f rus. МОП технология, f pranc. technologie MOS, f …
24МОП-структура — MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS structure vok. MOS Struktur, f rus. МОП структура, f pranc. structure MOS, f ryšiai: palygink – metalo oksido puslaidininkio darinys …
25МОП-структура с V-образными канавками — MOP darinys su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove MOS; V groove MOS structure vok. V Graben MOS Struktur, f rus. МОП структура с V образными канавками, f pranc. structure MOS à rainure en V, f …
26МОП-структура с многоуровневыми затворами — MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. composite gate MOS; composite gate MOS structure; stacked gate MOS structure vok. Mehrebenengate MOS Struktur, f rus. МОП структура с многоуровневыми… …
27МОП-структура с изолированным затвором — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …
28МОП-структура со скрытым каналом — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
29МОП-структура с плавающим затвором — MOP darinys su plūdriąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate MOS; floating gate MOS structure vok. MOS Struktur mit schwebendem Gate, f rus. МОП структура с плавающим затвором, f pranc. structure MOS à… …
30МОП-структура с поликремниевым затвором — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …