монолитных интегральных схем
11ВРЕМЯ ЗАДЕРЖКИ ОСНОВНОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА — время задержки сигнала, соответствующее прохождению через основной логический элемент, используемый в семействе монолитных интегральных схем. Оно может быть определено для данного семейства либо через время задержки прохождения сигнала через… …
Словарь понятий и терминов, сформулированных в нормативных документах российского законодательства
12Фотонная интегральная схема — У этого термина существуют и другие значения, см. Фис (значения). Фотонная интегральная схема (англ. photonic integrated circuit или integrated optical circuit, сокр. PIC) или оптическая интегральная схема, сокр. ФИС многокомпонентное… …
13ПОЛОСКОВЫЕ ЛИНИИ — линии передачи, содержащие проводники в виде одной или неск. полосок, расположенных в воздухе (воздушные П. л., рис. 1, а, б) либо нанесённых на диэлектрик (рис. 1, в д), наз. подложкой. Иногда в качестве подложки применяют феррит или… …
14микротехнология — Microtechnology Микротехнология Технология, оперирующая структурами, материалами и изделиями, имеющими микромасштабные размеры. Данная технология включает в себя методы, используемые для изготовления интегральных схем, дискретных… …
15microtechnology — Microtechnology Микротехнология Технология, оперирующая структурами, материалами и изделиями, имеющими микромасштабные размеры. Данная технология включает в себя методы, используемые для изготовления интегральных схем, дискретных… …
16SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
17Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
18КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
19Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
20ИНТЕГРАЛЬНАЯ ОПТИКА — раздел совр. оптики, осн. задачей к рого явл. изучение и использование особенностей генерации, распространения и преобразования световых волн в тонких слоях прозрачных материалов, а также разработка принципов и методов создания и интеграции оптич …
