запрещённая зона транзистора
1Бандгап — Зависимость напряжения на выходе ИС TL431  простейшего бандгапа по трёхтранзисторной схеме Видлара  от температуры. Средняя кривая  идеальное попадание VREF в номинальное значение (2,495В), верхняя и н …
2Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …
3Графеновые наноленты —     Графен …
4ПРИЁМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ — устройства, изменение состояния к рых под действием потока оптического излучения служит для обнаружения этого излучения. П. о. и. преобразуют энергию оптич. излучения в другие виды энергии (тепловую, электрич., механич. и т. д.), более удобные… …
5Фототранзистор — Транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего (См. Фотоэффект внутренний); служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением …
6Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …
