время релаксации импульса
1время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
2время тепловой релаксации СВЧ диода — T Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины сверхвысокочастотные… …
3Время тепловой релаксации СВЧ диода — 111. Время тепловой релаксации СВЧ диода τT Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме Источник: оригинал документа …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
4МЮОННОЙ СПИНОВОЙ РЕЛАКСАЦИИ МЕТОД — (метод MCP) исследование физ. хим. свойств материалов и поведения в веществе примесных частиц с помощью положит. мюонов, имплантируемых в изучаемые объекты. Метод MCP сформировался в 1960 70 х гг. в ходе экспериментов по проверке разл. вариантов… …
5РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… …
6МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ РАССЕЯНИЕ — (ее рассеяние) процесс, при к ром два электрона проводимости в металле и полупроводнике переходят из состояний с импульсами (в единицах ) в состояние с импульсами в результате кулоновского взаимодействия. При M. р. происходит передача энергии и… …
7ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… …
8РЕЛАКСАЦИЯ КОМПОНЕНТ ПЛАЗМЫ — процесс изменения функций распределения заряж. частиц в плазме за счёт столкновений при стремлении их к равновесию термодинамическому, приводящий к установлению максвелловского распределения. В простой полностью ионизованной плазме, состоящей из… …
9УВЛЕЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ФОНОНАМИ — возникновение потока носителей заряда в проводнике (полупроводнике или металле) вследствие их взаимодействия с неравновесными фононами. В образце, в к ром создан градиент темп ры , возникает поток фононов от горячего конца к холодному.… …
10УВЛЕЧЕНИЯ ЭФФЕКТ — 1) возникновение потока электронов в металле или полупроводнике в условиях, когда фононы не находятся в тепловом равновесии, а образуют направл. поток, напр. при наличии градиента темп ры (увлечение электронов фононами). В образце, на концах к… …
