время рекомбинации
11эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода — τэфф, τп, τр Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы… …
12Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода — 30. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода Е. Effective excess minority lifetime τэфф Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
13КОНТРАКЦИЯ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА — (сжатие газового разряда) резкое, скачкообразное уменьшение поперечного размера области, заполненной разрядным током, возникающее при превышении нек рого критич. значения давления газа или разрядного тока. При К. г. р. в неск. раз возрастает… …
14ФОТОГРАФИЯ ЧЁРНО-БЕЛАЯ — (серебряная фотография, галогеносеребряная фотография), совокупность способов и процессов получения изображения объектов на галогеносе ребряных регистрирующих материалах. Используется для получения отдельного кадра неподвижного объекта на… …
15Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …
16Вселенная — Крупномасштабная структура Вселенной как она выглядит в инфракрасных лучах с длиной волны 2,2 мкм  1 600 000 галактик, зарегистри …
17ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ — (от лат. lumen, род. п. luminis свет и escent суффикс, означающий слабое действие), излучение, представляющее собой избыток над тепловым излучением тела и продолжающееся в течение времени, значительно превышающего период световых колебаний.… …
18ИОНЫ В ГАЗАХ — образуются в заметных концентрациях при высоких т рах, а также при воздействии на газ фотонами или быстрыми частицами. Играют существенную, а зачастую и определяющую роль в радиац. химии, плазмохимии, лазерной химии, физико химии верх. слоев… …
19ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
20ИОНОСФЕРА — ионизованная часть атмосферы верхней; расположена выше 50 км. Верх, границей И. является внеш. часть магнитосферы Земли. И. представляет собой природное образование разреженной слабоионизованной плазмы, находящейся в магн. поле Земли и… …