В настоящем сборнике помещена серия статей, посвященных результатам теоретических и экспериментальных исследований в области физических причин, приводящих к выходу транзисторов из строя, и конструктивным и технологическим методам, позволяющим снизить влияние этих причин на надежность транзисторов.
В сборнике рассматриваются также эквивалентные схемы и параметры фотодиодов и фототранзисторов, результаты экспериментального исследования параметров и характеристик транзисторов, вопросы построения некоторых схем с полупроводниковыми приборами.