Мамедов, Расим Кара оглы

Расим Кара оглы Мамедов
Rasim Qara oğlu Məmmədov
Дата рождения:	1 июня 1950(1950-06-01) (62 года)
Место рождения:	село Нариманлы, Басаркечарский район, Армянская ССР
Страна:	Азербайджан
Научная сфера:	Физика
Место работы:	Бакинский государственный университет
Альма-матер:	Азербайджанский технический университет

Расим Кара оглы Мамедов (азерб. Rasim Qara oğlu Məmmədov) — азербайджанский ученый, доктор физико-математических наук (2004), профессор (2005), декан физического факультета Бакинского государственного университета.

Биография

Расим Мамедов родился 1 июня 1950 года в селе Нариманлы Басаркечарского района Армянской ССР в семье служащего. В 1967 году окончил среднюю школу в родном селе с золотой медалью, поступил на факультет Автоматики и Вычислительной Техники Азербайджанского технического университета. В 1971—1972 годах продолжил учебу в Московском Институте Проблем Управления, получил диплом с отличием. В 1976—1979 годах учился в аспирантуре Бакинского государственного университета по специальности Радиофизика. В 1983 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Влияние эмиссионной неоднородности на электрофизические свойства контактов металл-кремний». В 2004 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Электрофизические свойства реальных контактов металл-полупроводник». В 1980—1990 годах работал преподавателем, старшим преподавателем кафедры Оптики и молекулярной физики физического факультета БГУ. В 1990 году утверждён в звании доцента кафедры Оптики и молекулярной физики. С 1999 по 2004 год работал заместителем декана и в 2004 году избран на должность декана физического факультета БГУ. В 2005 году Расиму Кара оглы Мамедову было присвоено звание профессора кафедры Оптики и молекулярной физики.

Расим Мамедов является председателем Научного Совета Физического факультета, членом научного Совета БГУ, руководителем Научно-практического семинара физического факультета.

Семейное положение: женат, двое сыновей и дочь.

Научная деятельность

Основные достижения

Основные достижения ученого связаны с его открытием явления возникновения дополнительного электрического поля в действующей приконтактной области полупроводника в реальных (то есть с однородной или неднородной ограниченной контактной поверхностью) контактах металл — полупроводник (КМП) возникающего как вследствие неоднородности, так и вследствие ограниченности контактной поверхности со свободными поверхностями металла и полупроводника;

Ученый разработал действующие энергетические модели и механизмы токопрохождения выпрямляющих и омических реальных КМП, а также новый механизм преждевременного электрического пробоя, присущего КМП-диодам;

Получены патенты на изобретения КМП-диода без обратного тока, солнечного элемента на основе нано-КМП и способы их изготовления;

Было открыто новое научное направление в области физики и электроники полупроводников по теме «Физика контактов металл-полупроводник с дополнительным электрическим полем». Написана первая монография «Физика контактов металл-полупроводник с электрическим полем пятен», Баку, БГУ, 2003, 231 с.;

Впервые еще в 80-е годы Расимом Мамедовым установлено, что реальный КМП состоит из совокупности параллельно соединенных взаимодействующих микро- и наноконтактов, свойства которых существенно отличаются от свойств аналогичных макроструктур, а также разработаны физические основы возникновения такого различия.

Мамедов Расим Кара оглы — автор 130 научных работ, 35 научно-публицистических статей, 1 монографии, 3 книг, 5 патентов.

Избранные статьи

• Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, № 1, с.158-165
• Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при отсутствии краевых эффектов. Прикладная физика, 2003, № 3, с.103-109
• Температурные зависимости токопрохождения по периферии контакта в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, № 4, с.126-132
• Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при больших обратных напряжениях. Прикладная физика, 2003, № 5, с.123-129
• Зависимости токопрохождения в диодах Шоттки от концентрации примесей полупроводника. Прикладная физика, 2003, № 6, с.134-140
• Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки с электрическим полем пятен. Тезис доклад. XVIII Международная Научно-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2004, с.142-143
• Выпрямляющие диоды Шоттки с электрическим полем пятен. Труды II Международной Конференции «Технические и Физические Проблемы в Разработке Энергии» , Тебриз, 2004, p. 425-427
• Геометрические и электрофизические параметры активных участков контактной поверхности диода Шоттки. IX Международная Научная-Техническая Конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Таганрог, 2004, с.134-137
• Электрофизические свойства реальных микро- и наноконтактов металл-полупроуводник. Труды VII Международной Конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2005, с.81
• Выпрямляющие свойства контакта металла с полупроводниковыми микро- и наночастицами. Труды VIII Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2006, с.214
• Cолнечные элементы на основе микро- и наноконтактов металл-полупроводник. IX Международная Научная-Техническая Конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Таганрог, 2006, с.186-189
• Некоторые особенности токопрохождения в структуре металл-диэлектрик-металл. Труды II Международной Конференции «Технические и Физические Проблемы в Разработке Энергии», Турция, 2006, с. 543—547
• Новый принцип конструирования солнечного элемента на основе наноконтактов металл — полупроводник. Труды IХ Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2007, с.87
• Наноконтакты металл-полупроводник. Труды I Международного Научного Семинара «Свет в Наноразмерных Телах», Баку, 2005, с.63-66
• Образование потенциального барьера в однородном КМП с ограниченной контактной поверхностью. АМЕА, Физика, 2007, т. ХIII, № 4 , с.192-195
• Реальные контакты металл — полупроводник как совокупность взаимодействующих наноконтактов. АМЕА, Физика, 2007, т. ХIII, № 1-2, с.331-333
• Уникальные свойства микро- и наноконтактов металл — полупроводник. Тезисы докладов XIХ Международной Научно-Технической Конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Москва, 2008, с.198
• Преждевременный пробой реальных диодов Шоттки. Труды IY Международной Конференции «Технические и Физические Проблемы в Разработке Энергии» , Питешти, Румыния; 2008, p.(IV)25-27
• Активная роль дополнительного электрического поля в электронных процессах в реальных макро-, микро- и наноконтактах металл- полупроводник. Труды V Республиканской Научной Конференции «Актуальные проблемы физики», Баку, 2008, с.3-5
• Теоретически омический, а практически выпрямляющий контакт металл — полупроводник. Труды Х Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2008, с.198

Книги

• «Явления поверхностного натяжения и внутреннего трения в жидкостях». Баку, БГУ, 2007, 74 с.
• «Контакты металл — полупроводник с электрическим полем пятен», Баку, БГУ, 2003, 231 с.^[1]
• «Определение коэффициента поверхностного натяжения в жидкостях». Баку, БГУ, 1992, 32 с.
• «Методическое указание по определению коэффициента внутреннего трения в жидкостях и газах». Баку, БГУ, 1988, 22 с.

http://static.bsu.az/w10/pdf/mrg-kitab.pdf

Примечания

1. ↑ Мамедов Р. К. Контакты металл — полупроводник с электрическим полем пятен

Источники

• Мамедов Расим Кара оглы

Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное. Проставив сноски, внести более точные указания на источники. Проверить достоверность указанной в статье информации.