- Гомоэпитаксия
-
Гомоэпитаксия (автоєпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n+-n и p+-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.
См. также
- Молекулярно-пучковая эпитаксия
- Газофазная эпитаксия
- Жидкофазная эпитаксия
- Гетероэпитаксия
Категория:- Технология полупроводников
Wikimedia Foundation. 2010.