ГАННА ДИОД

[по имени амер. физика Дж. Б. Ганна (J. В. Gunn; p. 1928)] - полупроводниковый диод, действие к-рого осн. на Гонка эффекте. Предназначен для генерирования и усиления СВЧ колебаний на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Обычно представляет собой ПП слой с вертикальной структурой типа п⁺ - п - п⁺ (толщиной от единиц до десятков мкм), заключённый между двумя контактами (катодом и анодом); изготовляется чаще всего на основе арсенила галия GaAs или фосфида индия InP методом эпитаксиального наращивания. Г. д. характеризуются низким рабочим напряжением питания (от единиц до десятков В), низким уровнем амплитудных шумов. Выходная мощность до неск. кВт с кпд до 30% в импульсном режиме и до десятков Bт с кпд до 10% - в непрерывном. Г. д. применяются в качестве СВЧ усилителей, СВЧ генераторов и преобразователей электрич. импульсов в телеметрич. системах, переносных радиолокац. станциях, радио-локац. высотомерах и др. Планарные Г. д. (с горизонтальной ПП структурой) используются в составе быстродействующих интегральных схем.