Сегнетоэлектрический эффект

Сегнетоэлектрический эффект
Ferroelectric effect — Сегнетоэлектрический эффект.
Явление, при котором некоторые кристаллы (которые называются сегнетоэлектриками по аналогии с ферромагнетиками, проявляющими постоянный магнитный момент) могут проявлять спонтанный дипольный момент. Сегнетоэлектрические кристаллы часто показывают особую точку Кюри, доменную структуру и гистерезис более чем ферромагнитные кристаллы.
(Источник: «Металлы и сплавы. Справочник.» Под редакцией Ю.П. Солнцева; НПО "Профессионал", НПО "Мир и семья"; Санкт-Петербург, 2003 г.)

.

Игры ⚽ Поможем написать реферат

Смотреть что такое "Сегнетоэлектрический эффект" в других словарях:

  • сегнетоэлектрический эффект — Явление, при котором некоторые кристаллы (которые называются сегнетоэлектриками по аналогии с ферромагнетиками, проявляющими постоянный магнитный момент) могут проявлять спонтанный дипольный момент. Сегнетоэлектрические кристаллы часто показывают …   Справочник технического переводчика

  • FRAM — Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Энергонезависимая ПЗУ PROM …   Википедия

  • Носители компьютерной информации — НЖМД объёмом 45 Мб 1980 х годов выпуска, и 2000 х годов выпуска Модуль оперативной памяти, вставленный в материнскую плату Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство)  часть вычислительной машины, физическое… …   Википедия

  • Память (компьютер) — НЖМД объёмом 45 Мб 1980 х годов выпуска, и 2000 х годов выпуска Модуль оперативной памяти, вставленный в материнскую плату Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство)  часть вычислительной машины, физическое… …   Википедия

  • Память (компьютерная) — НЖМД объёмом 45 Мб 1980 х годов выпуска, и 2000 х годов выпуска Модуль оперативной памяти, вставленный в материнскую плату Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство)  часть вычислительной машины, физическое… …   Википедия

  • Устройство хранения данных — НЖМД объёмом 45 Мб 1980 х годов выпуска, и 2000 х годов выпуска Модуль оперативной памяти, вставленный в материнскую плату Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство)  часть вычислительной машины, физическое… …   Википедия

  • Устройство хранения информации — НЖМД объёмом 45 Мб 1980 х годов выпуска, и 2000 х годов выпуска Модуль оперативной памяти, вставленный в материнскую плату Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство)  часть вычислительной машины, физическое… …   Википедия

  • СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ — СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ, диэлектрики (см. ДИЭЛЕКТРИКИ), в которых проявляется сегнетоэлектрический эффект, связанный с наличием в кристалле спонтанной поляризации (см. ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ), направление которой может быть изменено… …   Энциклопедический словарь

  • Компьютерная память — НЖМД объёмом 44 Мб 1980 х годов выпуска и CompactFlash на 2 Гб 2000 х годов выпуска …   Википедия

  • Сегнетоэлектрик — Зависимость поляризации P от напряжённости электрического поля Е в ВЧ диэлектрике …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»