ИНДИЯ АРСЕНИД это:

ИНДИЯ АРСЕНИД
ИНДИЯ АРСЕНИД
И́НДИЯ АРСЕНИ́Д, InAs, монокристаллический полупроводниковый материал (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV.
Кристаллы арсенида индия имеют решетку сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)). Постоянная решетки при 300К равна 6,058А, относительная молекулярная масса 144,63, количество атомов в см3 — 3,96.1022. Плотность в твердом состоянии — 5,66 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) — 5,90 г/см3; температура плавления под давлением паров мышьяка tпл = 943 оС; равновесное давление паров мышьяка в точке плавления — 3,32.10-2 Мпа. Твердость по минералогической шкале — 4, коэффициент линейного расширения — 5,19.10-6К-1, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) — 14,55.
Арсенид индия имеет малую ширину запрещенной зоны — 0,36 эВ и высокую подвижность электронов. Высокая подвижность электронов позволяет получать на его основе приборы повышенной чувствительности.
Арсенид индия не растворяется в воде, хорошо поддается травлению концентрированной соляной кислотой, добавление азотной кислоты увеличивает скорость травления. При растворении арсенида индия в кислотах выделяется арсин (см. МЫШЬЯКА ГИДРИД). Окисление арсенида индия на воздухе начинается при температуре выше 450 оС. В вакууме при температурах выше 700 оС арсенид индия разлагается с выделением мышьяка.
Промышленным методом выращивания монокристаллов арсенида индия является метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (см. Методы выращивания кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)). Монокристаллы выращивают диаметром 2 и 3 дюйма. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 2 дюйма ND 1,5.104 см-2.
Основная область применения — малолитражное производство разнообразных оптоэлектронных приборов — оптических фильтров, источников ИК-излучения, фотоприемников, фильтров, в производстве приборов с гальваномагнитными эффектами, для изготовления магниторезисторов и преобразователей Холла. Применяют также в приборах для измерения напряженности магнитного поля и других полупроводниковых приборах.

Энциклопедический словарь. 2009.

Смотреть что такое "ИНДИЯ АРСЕНИД" в других словарях:

  • ИНДИЯ АРСЕНИД — InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С); С 0p49,32 Дж/(моль. К); DH0 пл 77,2… …   Химическая энциклопедия

  • Арсенид галлия-индия — Арсенид галлия индия …   Википедия

  • Арсенид алюминия-галлия — Арсенид алюминия галлия …   Википедия

  • Арсенид индия — Общие Химическая формула InAs Физические свойства Молярная масса 189.74 г/моль Плотность 5.68 г/см³ …   Википедия

  • ИНДИЯ ФОСФИД — ИНДИЯ ФОСФИД, InP, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Монокристаллы фосфида индия имеют наибольшие перспективы широкого промышленного производства и применения после арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ …   Энциклопедический словарь

  • индия(III) арсенид — indžio(III) arsenidas statusas T sritis chemija formulė InAs atitikmenys: angl. indium(III) arsenide rus. индия(III) арсенид …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • Фосфид индия — Общие Химическая формула InP Физические свойства Молярная масса 145.79 г/моль Плотность 4.81 г/см³ …   Википедия

  • Антимонид индия — Антимонид индия(III) …   Википедия

  • Гидроксид индия(III) — Общие Систематическое наименование Гидроксид индия Традиционные названия Гидрокись индия Химическая формула In(OH)3 Физические свойства Состояни …   Википедия

  • Оксид индия(I) — Общие Систематическое наименование Оксид индия(I) Традиционные названия Окись индия(I); гемиоксид индия; закись индия Химическая формула In2O Физические свойства …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»