ионное внедрение это:

ионное внедрение
ио́нное внедре́ние
(ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников.
* * *
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ
ИО́ННОЕ ВНЕДРЕ́НИЕ (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников.

Энциклопедический словарь. 2009.

Смотреть что такое "ионное внедрение" в других словарях:

  • Ионное внедрение —         ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… …   Большая советская энциклопедия

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… …   Физическая энциклопедия

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация) введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников …   Большой Энциклопедический словарь

  • ионное внедрение — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN ion burial …   Справочник технического переводчика

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь тв. тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ — ионное внедрение, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 100 кэВ проникают на 0,01 1… …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… …   Физическая энциклопедия

  • Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

  • SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»