Энциклопедический словарь. 2009.
Ионное внедрение — ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… … Большая советская энциклопедия
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… … Физическая энциклопедия
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация) введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников … Большой Энциклопедический словарь
ионное внедрение — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN ion burial … Справочник технического переводчика
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь тв. тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников … Естествознание. Энциклопедический словарь
ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ — ионное внедрение, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 100 кэВ проникают на 0,01 1… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… … Физическая энциклопедия
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
