ГАННА ЭФФЕКТ — генерация ВЧ колебаний электрич. тока в полупроводнике с N образнои вольт амперной характеристикой (рис. 1). Г. э. обнаружен амер. физиком Дж. Ганном (J. Gunn; 1963) в кристалле GaAs с электронной проводимостью. Генерация возникает, если пост.… … Физическая энциклопедия
ГАННА ЭФФЕКТ — генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N образной вольт амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая… … Большой Энциклопедический словарь
Ганна эффект — явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная Вольтамперная характеристика имеет N образный вид (рис. 1). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в… … Большая советская энциклопедия
ГАННА ЭФФЕКТ — возникновение ВЧ колебаний электрич. тока в ПП образце с N образной вольтамперной характеристикой (см. рис.) под действием сильного пост. электрич. поля (напряжённостью 105 В/м). Г. э. связан с периодич. появлением в однородном ПП кристалле и… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ГАННА ЭФФЕКТ — генерация высокочастотных колебаний электрич. тока в полупроводнике с N образной вольт амперной характеристикой (рис.). Г. э. связан с периодич. появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. поля, к рая наз. доменом… … Естествознание. Энциклопедический словарь
эффект Ганна — Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые … Справочник технического переводчика
Эффект Ганна — Эффект Ганна явление возникновения осцилляций тока ( 109 1010 Гц) в однородном многодолинном полупроводнике при приложении к нему сильного электрического поля. Впервые этот эффект наблюдался Джоном Ганном в 1963 г. на арсениде галлия, затем … Википедия
Ганна диод — полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2… … Большая советская энциклопедия
эффект Ганна — Gano reiškinys statusas T sritis Standartizacija ir metrologija apibrėžtis Savaiminis superaukštojo dažnio virpesių susidarymas veikiamame aukštos nuolatinės įtampos veikiamame puslaidininkyje. atitikmenys: angl. Gunn effect vok. Gunn Effekt, m… … Penkiakalbis aiškinamasis metrologijos terminų žodynas
эффект Ганна — Gano reiškinys statusas T sritis chemija apibrėžtis Savaiminis superaukštojo dažnio virpesių susidarymas puslaidininkyje, kurį veikia aukšta nuolatinė įtampa. atitikmenys: angl. Gunn effect rus. эффект Ганна … Chemijos terminų aiškinamasis žodynas
* * *ГАННА ЭФФЕКТГА́ННА ЭФФЕ́КТ, генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ) с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50—30 мкм частота колебаний ГАННА ЭФФЕКТ0,3—2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.