ШОТКИ БАРЬЕР это:

ШОТКИ БАРЬЕР
ШОТКИ БАРЬЕР

       
потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое ПП, граничащем с металлом; исследован нем. учёным В. Шотки (W. Schottky; 1939). Для возникновения Ш. б. необходимо, чтобы работы выхода эл-нов из металла Фм и полупроводника Фп были разными. При контакте ПП n-типа с металлом, имеющим Фм>Фп, металл заряжается отрицательно, а ПП — положительно, т. к. эл-нам легче перейти из ПП в металл, чем обратно (при контакте ПП р-типа с металлом, обладающим Фм<Фп, металл заряжается положительно, а ПП — отрицательно). Возникающая при установлении равновесия между металлом и ПП контактная разность потенциалов равна: Uк=(Фм- Фп)/e (е — заряд эл-на). Из-за большой электропроводности металла электрич. поле в него не проникает, и разность потенциалов Uк создаётся в приповерхностном слое ПП. Направление электрич. поля в этом слое таково, что энергия осн. носителей заряда в нём больше, чем в толще ПП.
ШОТКИ БАРЬЕР
Энергетич. схема контакта металл — ПП: а — ПП n-типа и металл до сближения; б и в — идеальный контакт металла с ПП n- и р-типов; г — реальный контакт металла с ПП n-типа; М — металл; П — полупроводник; Д — диэлектрич. прослойка; С — поверхностные электронные состояния; ?v, ?c, ?вак — уровни энергии эл-на у потолка валентной зоны, у дна зоны проводимости и в вакууме; ?F — энергия Ферми; Фп — работа выхода ПП, Фм — металла; U — разность потенциалов при поверхностном слое ПП.
Это означает, что в ПП n-типа энергетич. зоны в приконтактной области изгибаются вверх, а в ПП р-типа — вниз (рис.). В результате в ПП вблизи контакта с металлом, при Фм>Фп для ПП n-типа или при Фм<Фп для ПП р-типа, возникает Ш. б. высотой Ф0.
В реальных структурах металл — ПП это соотношение не выполняется, т. к. на поверхности ПП или в тонкой диэлектрич. прослойке, часто возникающей между металлом и ПП, обычно есть локальные электронные состояния; находящиеся в них эл-ны экранируют влияние металла так, что внутр. поле в ПП определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. зависит от Фм менее резко, чем это следует из приведённых выше ф-л. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на ПП n-типа плёнки Au. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила «электрического изображения» (см. ШОТКИ ЭФФЕКТ).
Ш. б. обладает выпрямляющими св-вами. Ток через Ш. б. при наложении внеш. электрич. поля создаётся почти целиком осн. носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности или, в случае ПП с высокой подвижностью носителей, током термоэлектронной эмиссии. Контакты металл — ПП с Ш. б. используются в CBЧ детекторах и смесителях, транзисторах, фотодиодах и в др. приборах.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. . 1983.


.

Смотреть что такое "ШОТКИ БАРЬЕР" в других словарях:

  • Шотки барьер —         Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; назван по имени немецкого учёного В. Шотки (W. Schottky). исследовавшего такой барьер в 1939. Для возникновения потенциального барьера… …   Большая советская энциклопедия

  • ШОТКИ ЭФФЕКТ — уменьшение работы выхода эл нов из тв. тел под действием внешнего ускоряющего их электрич. поля. Ш. э. проявляется в росте тока термоэлектронной эмиссии в режиме насыщения, в уменьшении энергии поверхностной ионизации и в сдвиге порога… …   Физическая энциклопедия

  • Шотки эффект —         уменьшение работы выхода (См. Работа выхода) электронов из твёрдых тел под действием внешнего ускоряющего их электрического поля. Ш. э. проявляется в росте тока насыщения термоэлектронной эмиссии (См. Термоэлектронная эмиссия), в… …   Большая советская энциклопедия

  • Шотки диод —         Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938 39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на… …   Большая советская энциклопедия

  • барьер Шотки — Šotkio barjeras statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. Schottky barrier vok. Schottky Barriere, f; Schottky Sperrschicht, f rus. барьер Шотки, m; барьер Шоттки, m pranc. barrière de Schottky, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Барьер Шоттки — (или Шотки, (англ. Schottky barrier))  потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или… …   Википедия

  • барьер Шотки на основе плёнок органических соединений — organinių plėvelių Šotkio barjeras statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. organic on organic contact barrier vok. Schottky Barriere auf der Basis von organischen Schichten, f rus. барьер Шотки на основе плёнок органических… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • барьер Шоттки — Šotkio barjeras statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. Schottky barrier vok. Schottky Barriere, f; Schottky Sperrschicht, f rus. барьер Шотки, m; барьер Шоттки, m pranc. barrière de Schottky, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Диоды Шотки — Изображения на схемах Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p… …   Википедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»