Иоффе, Абрам Федорович

[р. 17 (29) окт. 1880] — сов. физик, акад. (с 1920, чл.-корр. с 1918). Герой Социалистич. Труда (1955). Чл. КПСС с 1942. В 1902 окончил Петербург. технологич. ин-т и в 1905 Мюнхен. ун-т, где он работал у В. К. Рентгена. По возвращении в 1906 на родину работал в Петербург. политехнич. ин-те. В 1913 получил звание магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрич. свойств кварца — степень доктора физики. В 1913 был избран проф. С 1918 — руководитель организованного по его предложению физико-технич. отдела Гос. рентгенологич. и радиологич. ин-та в Петрограде, а затем до 1951 — дир. Физико-технич. ин-та АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1932 — дир. Физико-агрономич. мн-та, также организованного по его инициативе. С 1951 возглавил Лабораторию полупроводников АН СССР, а с 1954 — организованный на ее базе Ин-т полупроводников АН СССР. Работы И. 1909—13 посвящены обоснованию квантовой теории света и механизма фотоэффекта. В 1910 он экспериментально показал наличие магнитного ноля у катодных лучей, что отрицалось нек-рыми зарубежными физиками. Осн. работы И. посвящены изучению механич. свойств кристаллов, электрич. свойств диэлектриков и свойств полупроводников. Им была создана методика определения основных свойств полупроводников, на основании чего выявилась необходимость разделения полупроводников на электронные и "дырочные". В 1937 выдвинул новое объяснение выпрямления на границе дырочного и электронного полупроводников. Исследовал влияние сильного электрич. поля и света на полупроводники и их теплопроводность. Разработал ряд применений полупроводниковых термоэлементов. В Физико-технич. ин-те под руководством И. начинали свою научную деятельность многие крупные сов. физики. Уделяет много внимания педагогич. вопросам. Избран почетным чл. Амер. академии наук и искусств в Бостоне (1926), чл.-корр. Геттинген. (1924) и Берлин. (1928) АН, почетным доктором Калифорн. (1928), Париж. (1944), Бухарест. (1945) ун-тов и др. Лауреат Сталинской премии (1942).

Соч.: Элементарный фотоэлектрический эффект. Магнитное поле катодных лучей (опытное исследование), СПб, 1913; Лекции по молекулярной физике, 2 изд., П., 1923; Физика кристаллов, M.—Л., 1929; Полупроводники в физике и технике, "Вестник АН СССР", 1940, № 10; Моя жизнь и работа. Автобиографический очерк, М.—Л., 1933; Основные представления современной физики, Л.—М., 1949; Полупроводники, М.—Л., 1955; Полупроводники в современной физике, М.—Л., 1954; Полупроводники и их применение, М.—Л., 1956; Полупроводниковые термоэлементы, М.—Л., 1956.

Лит.: Френкель Я. И., Академик Абрам Федорович Иоффе (К 60-летию со дня рождения), "Вестник АН СССР", 1940, № 10; Сборник, посвященный семидесятилетию академика А. Ф. Иоффе, М., 1950 (Акад. наук СССР); Абрам Федорович Иоффе (К 75-летию со дня рождения), "Журнал экспериментальной и теоретич. физики", 1956, т. 30, вып. 1.

Иоффе, Абрам Федорович

(29.Х.1880—14.Х.1960) — советский физик, академик (1920, чл.-кор. 1918), вице-президент (1926—29, 1942—45). Р. в г. Ромны. Окончил Петербургский технологический ин-т (1902). В 1903—06 — практикант, ассистент в лаборатории В. Рентгена в Мюнхенском ун-те. В 1906 начал работать в Петербургском политехническом ин-те. В .I913—48 — профессор и в 1919—48 декан (с перерывами) физико-механического факультета ин-та. В 1918 по инициативе Иоффе создается физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом ин-те (реорганизованный в 1923 в Ленинградский физико-технический ин-т), а в 1919 — физико-механический факультет в Политехническом ин-те. На базе этих центров физической науки в СССР в последующие годы была создана разветвленная сеть научно-исследовательских институтов физического профиля (физико-технические ин-ты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске, Ин-т химической физики, Электрофизический ин-т и др.). До 1951 был директором Ленинградского физико-технического ин-та АН СССР, в 1952—55 — Лаборатории полупроводников АН СССР, с 1955 — Ин-та полупроводников АН СССР (в 1932—60 — также директор Агрофизического ин-та).

Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад им был сделан в физику и технику полупроводников. Уже в докторской диссертации (1905) проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах. В 1913 выполнил цикл работ по измерению заряда электрона при внешнем фотоэффекте и доказал статистический характер элементарного фотоэффекта. Экспериментально доказал (1916) существование ионной проводимости в кристаллах — прохождение ионов сквозь решетку ионного кристалла под действием поля. Классическими стали исследования Иоффе пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Объяснил реальную прочность кристаллов (1922). Первым выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы Иоффе с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжения.

В начале 30-х годов научные интересы Иоффе сосредоточились в области физики полупроводников, где он с сотрудниками открыл ряд явлений, важных для технического применения. Исследовав ряд полупроводников, он обнаружил, что на их электрические свойства сильно влияют примеси, в частности было выяснено, что последние в широком диапазоне меняют проводимость и знак носителей тока. Сформулировал новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов — дальтонидов — и подробно изучил их. Благодаря этому был открыт путь к созданию полупроводниковых материалов, свойства которых можно изменять в широких пределах. Важной проблемой физики полупроводников, которой также занимался Иоффе, была проблема выпрямления. В конце 30-х годов он сформулировал представление о механизме выпрямления, которое в общих чертах и сегодня является общепринятым и в значительной мере способствовало успехам промышленного изготовления диодов. Большой вклад внес Иоффе также в проблему применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергии в электрическую. Разработал теорию термоэлектрогенераторов и термоэлектрических холодильников, выдвинул идею плазменного термоэлектричества. Еще накануне войны создал сернистоталлиевый фотоэлемент с к.п.д. более 1 %.

Создал большую школу физиков, многие из которых сами стали основателями собственных школ (А. П. Александров, А. И. Алиханов, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. К. Кикоин, Г. В. Курдюмов, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семенов, Ю. Б. Харитон, Я. И. Френкель, А. К. Вальтер, А. Ф. Вальтер, Я. Г. Дорфман, А. И. Лейпунский, К. Д. Синельников, В. П. Жузе, А. Р. Регель, Л. С. Стильбанс и др.).

Ленинская премия (1961, посмертно). Герой Социалистического Труда (1955). Государственная премия СССР (1942). Член многих академий наук и научных об-в. В 1924—30 — главный редактор "Журнала прикладной физики", в 1931—38 — "Журнала экспериментальной и теоретической физики", 1931—59 — "Журнала технической физики". Имя Иоффе присвоено Ленинградскому физико-техническому ин-ту АН СССР.

Соч.: Физика кристаллов. — М.; Л., 1929; Основные представления современной физики. — Л.; М., Гостехиздат, 1949; Полупроводники в современной физике. — М.; Л., Изд-во АН СССР, 1954; Физика полупроводников. — 2-е изд., М.; Л., Изд-во АН СССР, 1957; Полупроводниковые термоэлементы. — М.; Л., Изд-во АН СССР, 1960; Встречи с физиками. — М., Физматгиз, 1962; Избранные труды. — Л., Наука, 1974—1975., 2 т.; О физике и физиках. — Л., Наука, 1977.

Лит.: УФН, 1960, т. 72, вып. 2; Соминский М. С. Абрам Федорович Иоффе. — М.; Л., Наука, 1964; Воспоминания об А. Ф. Иоффе. — Л., Наука, 1973; Абрам Федорович Иоффе. — М., Наука, 1981; УФН, 1980, т. 132, вып. 1; Развитие физики в СССР. — М., Наука, 1967, 2 кн.

Иоффе, Абрам Федорович

Род. 17 (29) октября 1880 г., в Ромнах (Полтавская губ.), ум. в 1960 г., в Ленинграде. Физик, специалист в области в области физики твердого тела и общей физики; стоял у истоков исследования полупроводников. Занимался также задачей упругого последействия в кристаллах (1905), измерением заряда электрона при внешнем фотоэффекте, ионной проводимостью в кристаллах (доказал ее существование 1916), исследованиями пластической деформации рентгеновским методом и др. Ученик Рентгена, один из основоположников советской физической школы (А. П. Александров, А. И. Алиханов, П. Л. Капица и др.). Инициатор создания физико-технического отдела Петроградского Рентгенологического и радиологического института (1918, с 1923 г. — Физико-технический институт) и физико-механического ф-та Политехнического института. Основатель (1932) и глава (до 1960) ленинградского Агрофизического института. До 1951 г. директор Ленинградского физико-технического института АН СССР, в 1952—55 гг. глава Лаборатории полупроводников АН СССР (с 1955 г. Институт полупроводников АН СССР). Академик РАН (1920), АН СССР (1925), вице-президент АН СССР (1927—29, 1942—45), Индийской (1958) и Итальянской академий (1959), чл.-корр. Геттингенской (1924) и Берлинской (1928) академий наук, почетный член Американской Академии наук и искусств в Бостоне (1958). Почетный доктор Калифорнийского университета (1928), Сорбонны (1945), университетов Граца (1948), Бухареста и Мюнхена (1955). Почетный член Французского, Британского и Китайского физических обществ. Почетный член ВАСХНИЛ (1956). Лауреат Государственной премии СССР (1942) и Ленинской премии (1961, посмертно). Герой Социалистического Труда (1955).