Ионное внедрение это:

Ионное внедрение
        ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10—100 кэв проникают на глубину 0,01—1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определённых кристаллографических направлений резко возрастает (см. Каналирование заряженных частиц).
         При интенсивной бомбардировке на И. в. влияет Катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени.
         И. в. наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника (См. Полупроводники). Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле (См. Дефекты в кристаллах), а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. И. в. позволяет вводить в разные Полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. И. в. позволяет создать в полупроводниковом кристалле Электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту Транзисторов.
         Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., М., [в печати]; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971.
         Ю. В. Мартыненко.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Смотреть что такое "Ионное внедрение" в других словарях:

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… …   Физическая энциклопедия

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация) введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников …   Большой Энциклопедический словарь

  • ионное внедрение — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN ion burial …   Справочник технического переводчика

  • ионное внедрение — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников. * * * ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ (ионная имплантация), введение посторонних (примесных)… …   Энциклопедический словарь

  • ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь тв. тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ — ионное внедрение, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 100 кэВ проникают на 0,01 1… …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… …   Физическая энциклопедия

  • Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

  • SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»