Каналирование заряженных частиц это:

Каналирование заряженных частиц
        в кристаллах, движение частиц вдоль «каналов», образованных параллельными друг другу рядами атомов. При этом частицы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами атомов, удерживающих их в этих «каналах» (рис.).
         Если траектория частицы заключена между двумя атомными плоскостями, то говорят о плоскостном каналировании, в отличие от аксиального каналирования, при котором частица движется между соседними рядами атомов.
         К. з. ч. было предсказано американскими физиками М. Т. Робинсоном и О. С. Оуэном в 1961 и обнаружено в 1963—65 несколькими группами экспериментаторов. Каналирование тяжёлых частиц (протонов и ионов) наблюдается при энергиях больше нескольких кэв, что соответствует длине Волны де Бройля, малой по сравнению с постоянной кристаллической решётки. К. з. ч. в этом случае может быть описано законами классической механики. Для К. з. ч. необходимо, чтобы угол, образуемый скоростью частицы и осью атомного ряда (или плоскостью для плоскостного каналирования), не превышал некоторого критического значения Ψкр. Угол Ψкр тем больше, чем больше атомные номера частицы и атома кристалла, чем меньше энергия частицы и чем меньше расстояние между атомами в ряду атомов, вдоль которого происходит К. з. ч. Для аксиального каналирования в некоторых направлениях Ψкр = 0,1—5° (для плоскостного каналирования в несколько раз меньше).
         Траектория каналированных частиц проходит дальше от ядер атомов кристаллической решётки, чем траектория неканалированных частиц. Это приводит к важным следствиям: 1) длина пробега частиц в канале значительно больше, чем длина пробега неканалированных частиц, т.к. электронная плотность в каналах меньше, чем в среднем в кристалле. Увеличение длины пробега ионов при К. з. ч. используется при ионном легировании полупроводников (см. Ионное внедрение). 2) Поскольку каналированные частицы движутся сравнительно далеко от ядер и близких к нему электронных оболочек (К и L оболочек), то вероятность ядерных реакций и возбуждения рентгеновского излучения под действием каналированных частиц намного меньше.
         Частицы, движущиеся в каналах, могут выходить из канала в результате рассеяния на дефектах в кристалле (См. Дефекты в кристаллах), что используется для изучения дефектов. С эффектом К. з. ч. тесно связан эффект теней (см. Теней эффект).
         Каналирование электронов отличается от каналирования тяжёлых частиц. Особенности каналирования электронов обусловлены влиянием их волновых свойств и отрицательным зарядом.
         Лит.: Туликов А. Ф., Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы. «Успехи физических наук», 1965, т. 87, в. 4, с. 585; Линдхард И., Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 249; Томпсон М., Каналирование частиц в кристаллах, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 297; Каган Ю. М., Кононец Ю. В., Теория эффекта каналирования, «Журнал экспериментальной и теоретической физики», 1970, т. 58, в. 1, с. 226.
         Ю. В. Мартыненко.
        Рис. к ст. Каналирование заряженных частиц.
        Рис. к ст. Каналирование заряженных частиц.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Смотреть что такое "Каналирование заряженных частиц" в других словарях:

  • КАНАЛИРОВАНИЕ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ — движение заряж. частиц внутри монокристалла вдоль каналов , образованных параллельными рядами атомов или плоскостей. К. з. ч. было предсказано М. Т. Робинсоном (М. Т. Robinson) и О. С. Оэном (О. S. Оеп) в 1961 и обнаружено в 1963. Различают… …   Физическая энциклопедия

  • КАНАЛИРОВАНИЕ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ — движение протонов, электронов и др. заряженных частиц, попавших в монокристалл, вдоль каналов , образованных параллельными рядами атомов или кристаллографич. плоскостями. Предсказано И. Штарком в 1912, обнаружено в 1963 65. Каналированные частицы …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • Каналирование заряженных частиц в — кристаллах, движение частиц вдоль «каналов», образованных параллельными друг другу рядами атомов. При этом частицы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами атомов, удерживающих их в этих «каналах» (рис.). Если… …   Большая советская энциклопедия

  • КАНАЛИРОВАНИЕ — заряженных частиц в кристаллах, движение ч ц вдоль «каналов», образованных параллельными рядами атомов. Ч цы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами атомов, удерживающих их в этих «каналах» (рис. 1). Если… …   Физическая энциклопедия

  • ТВЁРДОЕ ТЕЛО — агрегатное состояние в ва, характеризующееся стабильностью формы и хар ром теплового движения атомов, к рые совершают малые колебания вокруг положений равновесия. Различают крист. и аморфные Т. т. Кристаллы характеризуются пространств.… …   Физическая энциклопедия

  • Теней эффект —         возникновение характерных минимумов интенсивности (теней) в угловом распределении частиц, вылетающих из узлов решётки Монокристалла. Т. э. наблюдается для положительно заряженных тяжёлых частиц (протонов, дейтронов, более тяжёлых ионов).… …   Большая советская энциклопедия

  • Твёрдое тело —         одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от др. агрегатных состояний (жидкости (См. Жидкость), Газов, плазмы (См. Плазма)) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около… …   Большая советская энциклопедия

  • Катодное распыление —         ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.… …   Большая советская энциклопедия

  • Ионное внедрение —         ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… …   Большая советская энциклопедия

  • Тулинов, Анатолий Филиппович — Тулинов Анатолий Филиппович Дата рождения: 24 сентября 1924(1924 09 24) Место рождения: Алтайский край Дата смерти: 17 января 2011(2011 01 17) …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»