Эпитаксия это:

Эпитаксия
(от Эпи... и греч. táxis — расположение, порядок)
        ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации (См. Кристаллизация) из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии (См. Коррозия) и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, Сфалерита и решётки типа Алмаза.
         Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа Корунда и алмаза.
         При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111) Si//[1100] (0001) Al2O3. Это означает, что грань (111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) кристалла Al2O3 (решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы).
         Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. Дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.
         Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag этоЭпитаксия 600 Å), нарастает плёнка с собственной структурой.
         Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка.
         Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (100) Au//[100] (100) NaCl и [110] (111) Au //[110] (100) NaCl.
         Э. широко используется в микроэлектронике (См. Микроэлектроника) (Транзисторы, интегральные схемы (См. Интегральная схема), светодиоды и т. д.); в квантовой электронике — многослойные полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход), инжекционные лазеры (См. Инжекционный лазер), в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике (магнитные элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п.
         Лит.: Палатник Л. С., Папиров И. И., Ориентированная кристаллизация, М., 1964; их же, Эпитаксиальные пленки, М.,1971.
         А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Синонимы:

Смотреть что такое "Эпитаксия" в других словарях:

  • Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… …   Википедия

  • ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

  • ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение) ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием… …   Большой Энциклопедический словарь

  • эпитаксия — сущ., кол во синонимов: 2 • гетероэпитаксия (1) • гомоэпитаксия (2) Словарь синонимов ASIS. В.Н. Тришин. 2013 …   Словарь синонимов

  • ЭПИТАКСИЯ — закономерное срастание к лов веществ разл. состава, связанное с близостью строения их кристаллических структур или отдельных плоских сеток и рядов решеток срастающихся м лов. Напр., сагенитовая решетка в биотите и др. м лах, пегматитовые… …   Геологическая энциклопедия

  • эпитаксия — Процесс, при котором тонкий слой монокристаллического материала осаждается на монокристаллической подложке; эпитаксиальный рост происходит таким образом, что кристаллографическая структура подложки воспроизводится в растущем слое; в растущем слое …   Справочник технического переводчика

  • эпитаксия — Термин эпитаксия Термин на английском epitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • эпитаксия — (от эпи... и греч. táxis  расположение), ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием …   Энциклопедический словарь

  • Эпитаксия — [epitaxy] ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост… …   Энциклопедический словарь по металлургии

  • эпитаксия —  Epitaxy  or Epi  Эпитаксия   Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы.… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

  • Эпитаксия — Epitaxy Эпитаксия. Рост кристаллов при электролизе или из паровой фазы, при котором ориентация образующихся отложений непосредственно связана кристаллическими ориентациями в основной кристаллической решетке. (Источник: «Металлы и сплавы.… …   Словарь металлургических терминов

Книги

Другие книги по запросу «Эпитаксия» >>


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»