Тиристор это:

Тиристор
(от греч. thýra — дверь, вход и англ. resistor — Резистор
        полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника (См. Полупроводники) с четырёхслойной структурой р—n—p—n-типа, обладающий свойствами вентиля электрического (См. Вентиль электрический) и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ).
         К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности Unp (как указано на рис. 1), первый (П1) и третий (П3) электронно-дырочные переходы (См. Электронно-дырочный переход) смещаются в прямом направлении, а второй (П2) — в обратном. Через переходы П1 и П3 в области, примыкающие к переходу П2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ (рис. 2). В этом режиме Т. можно считать запертым, так как сопротивление перехода П2 всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П1 и П3 малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П2). По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на П2, и быстрее возрастают напряжения на П1 и П2, что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область П3. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в), называется напряжением переключения Uпер (точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ).
         Процесс скачкообразного переключения Т. из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух Транзисторов (T1 и Т2), включенных навстречу друг другу (рис. 3). Крайние области монокристалла являются эмиттерами (р-слой называется анодным эмиттером, n-слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i, протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера iэ1 и током второго эмиттера iэ2. Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов iк1 и iк2, равных соответственно α1iэ1 и α2iэ2, где «α1 и α2 — коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T1 и Т2; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода iкo (так называемый обратный ток). Таким образом i = α1iэ1 + α2iэ2 + iкo. С учётом iэ1 = iэ2 = i имеем 1 и α2 значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока α1 и α2 растут, что ведёт к возрастанию i. Когда он достигает значения, называется током включения Iвк, сумма α12 становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока Iпред (точка Г на рис. 2), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение Uocт. Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I(точка Б на рис. 2), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода (См. Полупроводниковый диод).
         Описанный способ включения Т. (повышением напряжения между его СЭ) применяют в Т., называется вентилями-переключателями (реже неуправляемыми Т., или динисторами). Однако преимущественное распространение получили Т., включаемые подачей в цепь УЭ импульса тока определённой величины и длительности при положительной разности потенциалов между анодом и катодом (обычно их называют управляемыми вентилями или Т.). Особую группу составляют Фототиристоры, перевод которых в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. Выключение Т. производят либо снижением тока через Т. до значения I, либо изменением полярности напряжения на его СЭ.
         В соответствии с назначением различают Т. с односторонней проводимостью, с двухсторонней проводимостью (симметричные), быстродействующие, высокочастотные, импульсные, двухоперационные и специальные.
         Полупроводниковый элемент Т. изготовляют из кремниевых монокристаллических дисков (пластин), вводя в Si добавки В, Al и Р. При этом в основном используют диффузионную и сплавную технологию. Конструктивно Т. выполняют (рис. 4) в герметичном корпусе; для обеспечения механической прочности и устранения тепловых напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов расширения Si и Cu (материал электродов), между кристаллом и электродами устанавливают термокомпенсирующие вольфрамовые или молибденовые диски. Различают Т. штыревой конструкции — в металлических и металлокерамических корпусах, прижимные (с отводом тепла с одной стороны Т.) и таблеточные (с двухсторонним отводом тепла). Основные конструкции Т. — таблеточная и штыревая. Т. на токи до 500 а изготовляют с воздушным охлаждением, на токи свыше 500 а — обычно с водяным.
         Современные Т. изготовляют на токи от 1 ма до 10 ка напряжения от нескольких в до нескольких кв; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 а/сек, напряжения — 109 в/сек, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мксек, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мксек; кпд достигает 99%.
         Т. нашли применение в качестве вентилей в преобразователях электрической энергии (см. Преобразовательная техника, Тиристорный электропривод), исполнительных и усилительных элементов в системах автоматического управления (См. Автоматическое управление), ключей и элементов памяти в различных электронных устройствах и т. п., где они совместно с др. полупроводниковыми приборами (См. Полупроводниковые приборы) к середине 70-х гг. 20 в. в основном вытеснили электронные (электровакуумные) и ионные (газоразрядные и ртутные) вентили.
         Лит.: Тиристоры. (Технический справочник), пер. с англ., 2 изд., М., 1971; Кузьмин В, А., Тиристоры малой и средней мощности, М., 1971.
         Ю. М. Иньков, А. А. Сакович.
        Рис. 5 (а, б). Общий вид тиристоров: а — штыревого в металлическом корпусе; б — таблеточного в керамическом корпусе.
        Рис. 5 (а, б). Общий вид тиристоров: а — штыревого в металлическом корпусе; б — таблеточного в керамическом корпусе.
        Рис. 5 (в, г). Общий вид тиристоров: в — прижимного в металлокерамическом корпусе; г — штыревого в металлокерамическом корпусе в сборе с охладителем.
        Рис. 5 (в, г). Общий вид тиристоров: в — прижимного в металлокерамическом корпусе; г — штыревого в металлокерамическом корпусе в сборе с охладителем.
        
        Рис. 1. Схематическое изображение тиристора: А — анод; К — катод; УЭ — управляющий электрод; П — электронно-дырочный переход; Rн — сопротивление внешней цепи; Uпp — прямое напряжение на тиристоре.
        Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора (вентиля-переключателя): участок ОА соответствует состоянию тиристора с низкой проводимостью, участок БГ — с высокой проводимостью.
        Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора (вентиля-переключателя): участок ОА соответствует состоянию тиристора с низкой проводимостью, участок БГ — с высокой проводимостью.
        
        Рис. 3. Схематическое изображение тиристора в виде двух включенных навстречу друг другу транзисторов: Т — транзистор; Э — эмиттер; Б — база; К — коллектор; iэ — эмиттерный ток; iк — коллекторный ток; iкo — ток коллекторного перехода; Rн — сопротивление внешней цепи; Uпp — прямое напряжение на тиристоре.
        Рис. 4. Управляемый тиристор (в разрезе): 1 — основание (силовой электрод); 2 — полупроводниковый кристалл; 3 — фторопластовое кольцо; 4 — гибкий внутренний провод; 5 — крышка; 6 — изолятор крышки; 7 — стержень крышки; 8 — гибкий наружный вывод (силовой электрод); 9 — управляющий электрод; 10 — наконечник наружного вывода.
        Рис. 4. Управляемый тиристор (в разрезе): 1 — основание (силовой электрод); 2 — полупроводниковый кристалл; 3 — фторопластовое кольцо; 4 — гибкий внутренний провод; 5 — крышка; 6 — изолятор крышки; 7 — стержень крышки; 8 — гибкий наружный вывод (силовой электрод); 9 — управляющий электрод; 10 — наконечник наружного вывода.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Синонимы:

Смотреть что такое "Тиристор" в других словарях:

  • ТИРИСТОР — (от греч. thyra дверь и резистор) полупроводниковый прибор на монокристалле с 4 слойной структурой (с 3 электронно дырочными переходами); обладает свойствами управляемого электрического вентиля. Выпускаются на токи от 1 мА до 10 кА и напряжения… …   Большой Энциклопедический словарь

  • ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх p n переходов, взаимодействие между к рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний: выключенном с высоким сопротивлением и включённом с низким.… …   Физическая энциклопедия

  • тиристор — сущ., кол во синонимов: 2 • симистор (2) • фототиристор (1) Словарь синонимов ASIS. В.Н. Тришин. 2013 …   Словарь синонимов

  • тиристор — Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые приборы EN thyristor DE Thyristor FR… …   Справочник технического переводчика

  • ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор (полупроводниковый тиратрон) с четырёхслойной р n p n структурой. Один электрод Т. является анодом, второй катодом, третий управляющим электродом. Т. переключающий прибор с двумя устойчивыми состояниями,… …   Большая политехническая энциклопедия

  • Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой …   Википедия

  • тиристор — полупроводниковый прибор на монокристалле с многослойной структурой (типа p – n – p – n) с тремя или более электронно дырочными переходами; обладает свойствами управляемого электрического вентиля. Обычно тиристор имеет три вывода: два из них… …   Энциклопедия техники

  • тиристор — а; м. [от греч. thyra дверь и сл. резистор] Переключающий полупроводниковый прибор, используемый в преобразовательных устройствах, управляемых выпрямителях и т.п. ◁ Тиристорный, ая, ое. Т. электропривод. Т ое устройство. Т ые преобразователи. * * …   Энциклопедический словарь

  • тиристор — (гр. thyra дверь, вход + англ. (res)istor сопротивление) полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой, обладающий свойствами управляемого электрического вентиля; примен. преимущ. в силовых устройствах преобразовательной техники и… …   Словарь иностранных слов русского языка

  • тиристор — tiristorius statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. thyristor vok. Thyristor, m rus. тиристор, m pranc. thyristor, m …   Automatikos terminų žodynas

Книги



Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»