Планарная технология это:

Планарная технология
        планарный процесс (англ. planar, от лат. planus — плоский, ровный), первоначально — совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно-дырочными переходами (См. Электронно-дырочный переход), границы которых выходят на одну и ту же плоскую поверхность ПП пластины и находятся под слоем защитного диэлектрического покрытия; в современном, более широком смысле — совокупность технологических операций, проводимых для получения практически любых ПП приборов и интегральных схем (См. Интегральная схема), в том числе и таких, у которых границы электронно-дырочных переходов не выходят на одну плоскую поверхность. Термины «П. т.» и «планарный прибор» появились в 1959, когда американской фирмой «Фэрчайлд» (Fairchild) были созданы первые планарные кремниевые транзисторы.
         Основные технологические операции при изготовлении классического планарного кремниевого транзистора с n—p—n-переходами выполняются в следующей последовательности. На отшлифованной, а затем отполированной, тщательно очищенной плоской поверхности пластины из монокристаллического кремния с электропроводностью n-типа (рис., а) термическим окислением в сухом или влажном кислороде создают слой двуокиси кремния (SiO2) толщиной от нескольких десятых до 1,0—1,5 мкм (рис., б). Далее производят фотолитографическую обработку этого слоя (см. Фотолитография): на окисленную поверхность кремния наносят слой Фоторезиста, чувствительного к ультрафиолетовому излучению; пластину с высушенным слоем фоторезиста помещают под шаблон — стеклянную пластину с рисунком, в заданных местах прозрачным для ультрафиолетового излучения; после обработки излучением фоторезист в тех местах, под которыми должен сохраняться слой SiO2, полимеризуют (задубливают), с остальной части пластины фоторезист снимают и удаляют травлением обнажившийся слой SiO2, после чего снимают оставшийся фоторезист (рис., в). Затем в участки, где нет плёнки окисла, проводят диффузию (См. Диффузия) бора (акцепторной примеси) для создания в материале исходной пластины (коллекторная область) базовой области с электропроводностью р-типа. Т. к. диффузия одновременно идёт и перпендикулярно поверхности пластины, и параллельно ей, т. е. под края окисной плёнки, то границы электронно-дырочного перехода между коллекторной и базовой областями, выходящие на поверхность пластины, оказываются закрытыми слоем SiO2 (рис., г). После проведения диффузии бора (или одновременно) поверхность пластины повторно подвергают окислению и повторно производят фотолитографическую обработку (рис., д) с целью создания эмиттерной области с электропроводностью n-типа диффузией фосфора (донорной примеси) в заданные участки базовой области. При этом границы электронно-дырочных переходов между эмиттерной и базовой областями оказываются также закрытыми слоем SiO2 (рис., е). После диффузии доноров или одновременно с ней проводят третье окисление и над эмиттерной областью создают слой чистой SiO2 или фосфорно-силикатного стекла. Затем производят последнюю фотолитографическую обработку и вытравливают над эмиттерной и базовой областями в плёнке окисла отверстия для контактов к этим областям (рис., ж). Контакты создают нанесением тонкой металлической плёнки (обычно Al; рис., з). Контакт к коллекторной области осуществляют путём металлизации нижней поверхности исходной пластины. Пластину кремния разрезают на отдельные кристаллы, каждый из которых имеет транзисторную структуру. Наконец, каждый кристалл помещают в корпус и герметизируют последний.
         По мере своего развития П. т. включила в себя ряд новых процессов. В качестве материала защитных плёнок используют не только SiO2, но и нитрид кремния, оксинитрид кремния и др. вещества. Для их создания применяют пиролиз, реактивное (в кислородной среде) распыление кремния и др. процессы. Для селективного удаления защитной диэлектрической плёнки, помимо обычной оптической фотолитографии, применяется обработка электронным лучом (т. н. электронолитография). Для легирования кремния, кроме диффузии, используют Ионное внедрение донорных и акцепторных примесей. Получило распространение сочетание методов П. т. с технологией эпитаксиального выращивания (см. Эпитаксия). В результате такого сочетания создан широкий класс разнообразных планарно-эпитаксиальных ПП приборов. Появилась возможность получать стойкие защитные диэлектрические плёнки не только на кремнии, но и на других ПП материалах. В результате были созданы планарные ПП приборы на основе германия и арсенида галлия. В качестве легирующих примесей в П. т. используют не только бор и фосфор, но также др. элементы третьей и пятой групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева.
         Главное достоинство П. т., послужившее причиной её распространения в полупроводниковой электронике (См. Полупроводниковая электроника), заключается в возможности использования её как метода группового изготовления ПП приборов, что повышает производительность труда и процент выхода годных приборов, позволяет уменьшить разброс их параметров. Применение в П. т. таких прецизионных процессов, как фотолитография, диффузия, ионное внедрение, даёт возможность очень точно задавать размеры и свойства легируемых областей и в результате получать параметры и их сочетания, недостижимые при др. методах изготовления ПП приборов. Защитные диэлектрические плёнки, закрывающие выход электронно-дырочных переходов на поверхность ПП материала, позволяют создавать приборы со стабильными характеристиками, мало меняющимися во времени. Этому способствует также ряд специальных мер: поверхность пластин перед нанесением защитной плёнки тщательно очищают, при создании защитных плёнок используют особо чистые исходные вещества (например, бидистиллированную воду, которая после последней дистилляции не контактирует с внешней средой) и т.д.
         Лит.: Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.
         Е. З. Мазель.
        Стадии изготовления планарного транзистора: а — исходная пластина; б — после первого окисления; в — после первой фотолитографической обработки; г — после создания базовой области и второго окисления; д — после второй фотолитографической обработки; е — после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж — после третьей фотолитографической обработки; з — после металлизации; 1 — исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 — маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 — базовая область; 4 — эмиттерная область; 5 — металлическая плёнка (контакты).
        Стадии изготовления планарного транзистора: а — исходная пластина; б — после первого окисления; в — после первой фотолитографической обработки; г — после создания базовой области и второго окисления; д — после второй фотолитографической обработки; е — после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж — после третьей фотолитографической обработки; з — после металлизации; 1 — исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 — маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 — базовая область; 4 — эмиттерная область; 5 — металлическая плёнка (контакты).

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Смотреть что такое "Планарная технология" в других словарях:

  • Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог …   Википедия

  • ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский) высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического… …   Большой Энциклопедический словарь

  • ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. П. т. основа микроэлектроники,… …   Химическая энциклопедия

  • планарная технология — (от англ. planar  плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической плёнки на поверхности кристаллического… …   Энциклопедический словарь

  • планарная технология — planarioji technologija statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. planar processing approach; planar technique; planar technology vok. Planartechnologie, f rus. планарная технология, f pranc. technologie planaire, f …   Fizikos terminų žodynas

  • ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский) высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т.: нанесение тонкой диэлектрич. плёнки на поверхность кристаллич. полупроводника (Si, Ge, GaAs и др.);… …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ planar плоский), высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т : создание тонкой диэлектрич. плёнки на поверхности кристаллич. полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление… …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • планарная технология (полупроводников) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN planar technique …   Справочник технического переводчика

  • планарная локация — Определение положения источника АЭ на плоскости. [Standard Terminology for Nondestructive Examinations. ASTM E 1316.] Примечание Используется три или более ПАЭ. [Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля …   Справочник технического переводчика

  • Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»